3W diodni laserski čipovi

Wavelength: 940 nm ; High power conversion efficiency: >35%

Pošaljite upit

Opis

3W diodni laserski čipovi

Opis proizvoda

Osnovno načelo EEL 3W diodnih laserskih čipova (Edge-Emitting Laser) je proces generiranja fotona putem stimuliranog zračenja. Struktura EEL lasera uglavnom uključuje tri dijela: aktivno područje poluvodiča, izvor pumpe i optičku rezonantnu šupljinu. Aktivno područje je središnje područje generiranja lasera. Izvor pumpe daje energiju za pobuđivanje elektrona u aktivnom području, dok je optička rezonantna šupljina odgovorna za odabir moda i pojačanje fotona, te na kraju formira lasersku zraku

Ovi diodni laserski čipovi dizajnirani za ToF aplikacije kratkog{0}}dometa

• Valna duljina: 940 nm

• High power conversion efficiency: >35%

• Vršna snaga: 3 W