Širina 3W 808nm poluvodiča laserskog čipa je široka 150μm, duljina šupljine je 1 mm, učinkovitost fotoelektrične pretvorbe je 60%, a vijek trajanja može doseći više od 10000 sati.
Čip usvaja novi dizajn epitaksijalne strukture i epitaksiju materijala, naprednu tehnologiju dizajna i pripreme prozora bez pumpe te mokro i suho jetkanje u kombinaciji sa samosvrstanom tehnologijom procesa za kontrolu konzistencije širine trake, posebno kako bi se osigurali visoki gotovi proizvodi u masovnoj proizvodnji Kako bi se smanjili troškovi laserskih čipova.
Istovremeno, usvajanje nove tehnologije uvelike poboljšava karakteristike visoke otpornosti na temperaturu, tako da može kontinuirano raditi na temperaturi okoline od 60 °C ili višoj.
Čip se može primijeniti na C-MOUNT, TO56, TO3 i druge vrste pakiranja.