Ključne tehnologije poluvodičkih lasera velike snage uključuju epitaksijalnu tehnologiju rasta poluvodičkih laserskih čipova, pakiranje i optičku kolimaciju poluvodičkih laserskih čipova, tehnologiju oblikovanja laserskog snopa i tehnologiju laserske integracije.
Epitaksijalna tehnologija rasta poluvodičkih laserskih čipova, istraživanje i dizajn epitaksijalnih čip struktura igraju vitalnu ulogu u razvoju poluprovodničkih lasera velike snage, pa su stoga fokus istraživanja u poluprovodničkoj laserskoj tehnologiji velike snage.
Posljednjih godina stručnjaci su ojačali svoja istraživačka ulaganja u ovu tehnologiju i postigli značajan napredak.
Njegovi se noviji rezultati istraživanja uglavnom ogledaju u sljedećim aspektima:
1 Korištenje aktivnog područja bez aluminija učinkovito povećava gustoću optičke snage optičkog katastrofalnog oštećenja čeone strane laserskog čipa, tako da su izlazna snaga i vijek trajanja laserskog uređaja znatno poboljšani;
2 Korištenjem napete strukture kvantnih bušotina učinkovito se poboljšavaju fotoelektrične performanse poluvodičkog lasera velike snage, proširuje se raspon valnih duljina emisije materijalnog sustava temeljenog na GaAs i smanjuje granična gustoća struje uređaja;
3 Metoda dizajniranja velike optičke šupljine pomoću širokog valovoda povećava veličinu snopa u načinu rada blizu polja, što smanjuje gustoću izlazne laserske snage uređaja, povećava pumpanje i izlaznu snagu lasera, a životni vijek uređaja dodatno povećava.
Danas je učinkovitost elektrooptičke pretvorbe komercijaliziranih poluvodičkih laserskih čipova dosegla 60%, a učinkovitost elektrooptičke pretvorbe uređaja u laboratoriju više od 70%. Vjeruje se da daljnjim poboljšanjem njegove tehnologije. U bliskoj će budućnosti učinkovitost elektrooptičke pretvorbe poluvodičkih laserskih čipova doseći više od 85%.